结果，电力大的晶体生长被抑制，而共轭聚合物的短程聚集被促进，从而在不影响电荷载流子传输的情况下提高了机械拉伸性能。
经过BCS理论模型化分析，光纤公共他们发现，超导临界温度随压力的升高，主要归因于高压下体弹模量和费米能处的电子态密度随压力的提高。图四、入户压力诱导的层间滑移和样品纳米化(a)CuP2Se在27.3GPa下卸压后的扫描电镜图;(b)CuP2Se在27.3GPa下卸压后的透射电镜图及选区电子衍射图;(c)CuP2Se在51.8GPa下卸压后的扫描电镜图;(d)CuP2Se在51.8GPa下卸压后的透射电镜图及选区电子衍射图。
图三、成开同步辐射测定高压下结构的变化(a)CuP2Se高压下原位XRD图谱;(b)Rietveld精修出的晶胞参数随压力的变化及与DFT计算值的比较;(c)Rietveld精修出的晶胞体积随压力的变化及与DFT计算值的比较。其中一种方法是降低其维度，放式服务形成只有几层的二维材料。这些相变，新平导致了一个由半导体到金属体的转变(在室温和约20GPa下)，以及一个由金属体到超导体的转变（在3.3-5.7K之间和 27.0-61.4GPa下）
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